三星电子和SK海力士推迟应用混合键合封装工艺

背景

随着高性能计算和人工智能对内存带宽的需求持续攀升，高带宽存储器（HBM）已成为关键组件。HBM4 作为下一代标准，原计划引入更先进的混合键合（Hybrid Bonding）封装工艺，以替代目前广泛使用的热压键合（TCB）技术。混合键合能够实现更细间距、更低功耗和更高堆叠层数，被视为提升 HBM 性能的重要路径。然而，这项技术的产业化进程面临良率、成本及设备成熟度等挑战。近期，行业动态显示两大韩国存储巨头三星电子和 SK 海力士已决定推迟该工艺的应用。

核心内容

根据多家媒体报道，三星电子和 SK 海力士已推迟原定在 HBM4 中采用混合键合封装工艺的计划。做出这一决策的主要原因包括：行业标准组织放宽了 HBM 的厚度标准，使得传统热压键合在现有规格下仍能满足性能要求；同时，客户对高堆栈层数的迫切需求促使厂商优先保证产品交付节奏，而非立即转向新技术。因此，两家公司决定继续使用成熟的热压键合技术，以确保 HBM4 的量产稳定性。业内预计，混合键合技术最早将应用于 16 层堆叠的 HBM4E 产品，而非当前规划的 HBM4。

关键要点

• 三星电子和 SK 海力士原计划在 HBM4 中引入混合键合封装工艺，现已决定推迟。
• 推迟原因：行业放宽了 HBM 厚度标准，使得传统热压键合技术仍能满足当前设计需求。
• 客户对高堆栈层数的急迫需求也是推迟因素之一，厂商倾向于优先采用成熟工艺以保证供应。
• 当前决定：继续使用传统热压键合技术进行 HBM4 的量产。
• 未来展望：业内预计混合键合最早将在 16 层堆叠的 HBM4E 产品中应用，而非 HBM4。

意义与影响

这一推迟表明，先进封装工艺的产业化落地仍需克服良率、成本和客户接受度等多重障碍。尽管混合键合在理论上能提供更优的电气性能和更高的堆叠密度，但在 HBM4 这一代产品中，传统热压键合凭借其成熟度和可靠性仍占据主导地位。对于三星电子和 SK 海力士而言，这一决策可降低短期量产风险，加速 HBM4 的市场投放，满足 AI 和 HPC 客户的迫切需求。从行业角度看，HBM4 的厚度标准放宽可能为其他厂商提供更长的技术过渡期，同时延后了混合键合在高端存储器中的大规模应用时间点。HBM4E 作为延伸版本，有望成为混合键合的首个量产平台，进一步推动封装技术代际升级。