SK海力士重启大连二厂扩建，将产238层NAND闪存

背景

SK 海力士在大连设有两座 NAND 闪存工厂。第一工厂已完成 192 层 NAND 闪存产线升级及老化设备更换；第二工厂原计划于 2022 年启动投资，但因当时行业遇冷而暂缓。随着 AI 数据中心普及带动 NAND 闪存需求增长，该工厂重启扩建的可能性显著升高，SK 海力士正积极筹备全面投资，去年已向大连 NAND 闪存工厂大幅追加注资。

核心内容

SK 海力士近期计划以向中国大连第二工厂引进设备为契机，推进全新的生产线投资建设。具体安排为：今年下半年搬入设备，明年上半年分阶段完成设施建设。该工厂将在今年下半年新增一条用于生产 238 层 NAND 闪存的 V8 生产线，月产能目标为 3 万至 5 万片晶圆。目前，部分韩国本土供应商正搬迁闲置设备，海外制造商已收到初步采购订单。

关键要点

• 投资重启：SK 海力士重启大连第二工厂扩建工程，原计划于 2022 年启动但因行业遇冷而暂缓，现因 AI 数据中心需求增长而恢复。
• 时间线：今年下半年搬入设备，明年上半年分阶段完成设施建设；今年下半年新增 V8 生产线。
• 产品与技术：生产 238 层 NAND 闪存，采用 V8 生产线。
• 产能目标：月产能目标为 3 万至 5 万片晶圆。
• 供应链动态：部分韩国本土供应商正搬迁闲置设备，海外制造商已收到初步采购订单。
• 前期投入：去年已向大连 NAND 闪存工厂大幅追加注资；第一工厂已完成 192 层 NAND 产线升级及老化设备更换。

意义与影响

SK 海力士重启大连二厂扩建，直接反映了 AI 数据中心对 NAND 闪存需求的强劲拉动。238 层 NAND 是当前领先的 3D NAND 技术，新增产能有助于 SK 海力士巩固其在高端 NAND 市场的份额，并满足 AI 服务器、高性能计算等场景对大容量、高密度存储的需求。同时，此举也表明 SK 海力士对中国制造基地的长期投入，以及在全球 NAND 市场中与三星等竞争对手的角力。大连工厂的扩产将进一步提升中国在全球 NAND 闪存产业链中的地位，但也可能加剧市场竞争。