英诺赛科称英飞凌侵权产品上海慕尼黑电子展撤展，英飞凌回应

背景

英诺赛科（Innoscience）与英飞凌（Infineon）之间的专利纠纷已持续数年。2024 年 8 月，美国国际贸易委员会（ITC）终裁确认，英诺赛科的客户不受英诺赛科与 EPC（Efficient Power Conversion）专利纠纷影响。同年 11 月，英飞凌被认定侵犯英诺赛科相关氮化镓（GaN）产品专利，相关产品被禁止在中国境内销售。最新动态发生在 2026 年 6 月，英诺赛科声称英飞凌的侵权产品在慕尼黑上海电子展（electronica China）上撤展，英飞凌随后作出回应。

核心内容

根据英诺赛科方面的说法，英飞凌涉嫌侵权的氮化镓产品在 2026 年 6 月举办的慕尼黑上海电子展上已被要求撤展。英诺赛科认为此举是执行此前法院禁令的结果。英飞凌针对该情况作出了回应，但截至报道时，双方均未披露回应的具体细节。这一事件标志着两家公司在氮化镓领域专利攻防战的进一步升级，从司法诉讼延伸至展会现场的执行层面。

关键要点

• 事件性质：英诺赛科主动对外通报英飞凌侵权产品在慕尼黑上海电子展上撤展，属于公开施压行为。
• 时间节点：该撤展事件发生在 2026 年 6 月 13 日左右（展会期间），英飞凌回应紧随其后。
• 背景关联：此前中国法院已裁定英飞凌部分氮化镓产品侵犯英诺赛科专利，并禁止在中国境内销售。
• 专利对应方：英诺赛科与英飞凌的专利纠纷独立于英诺赛科与 EPC 的争端，ITC 此前已确认英诺赛科客户不受 EPC 案件影响。
• 信息透明度：英飞凌回应的具体内容尚未公开，双方后续可能通过法律渠道进一步披露。

意义与影响

1. 展会执法常态化：专利纠纷从诉讼延伸至展会，意味着权利方开始利用展会现场禁令或撤展要求来强化执行效果，可能成为半导体行业知识产权保护的新趋势。
2. GaN 市场格局生变：英飞凌作为全球功率半导体龙头，若其 GaN 产品在中国市场受阻，将直接影响其在中国氮化镓领域的竞争地位，同时为英诺赛科等本土企业创造市场窗口期。
3. 跨国专利博弈复杂化：英诺赛科此前曾遭英飞凌指控侵权，如今反制成功并推动执行，显示国内企业在专利布局与诉讼应对上已具备对等能力，未来中外厂商间的专利交叉许可或对抗将更频繁。
4. 投资者与客户需关注风险：对英飞凌而言，中国市场的 GaN 业务面临不确定性；对英诺赛科而言，持续执行禁令可巩固其技术自主地位，但也可能招致英飞凌在其他司法管辖区的反诉。