SK 海力士 2029 年清州建 NAND 闪存厂扩产

## 背景

SK 海力士（SK hynix）是全球第三大内存芯片制造商，在 NAND 闪存领域长期保持领先地位。清州（Cheongju）位于韩国忠清北道，是其早期布局的核心基地。2018 年，该公司在此建成 M15 晶圆厂，成为其 NAND 生产的重要设施。此后，SK 海力士在清州继续投入资源，包括 2026 年 4 月启动的 P&T7 先进封装工厂（投资 19 万亿韩元），以及 M15X 厂的扩建。这些项目共同构成了清州作为 AI 内存综合制造中心的初步基础。SK 海力士目前仍专注于清州原有 NAND 生产线的维持，尚未在该区域构建全新前道 NAND 晶圆厂。

## 核心内容

SK 海力士宣布，将于 2029 年在清州建成 NAND 闪存工厂。这一计划是其 1100 万亿韩元（约合 7130 亿美元）中长期投资战略的重要组成部分。该战略总额将分阶段分配：龙仁地区投入 600 万亿韩元，西南地区投入 400 万亿韩元，清州地区则投入 100 万亿韩元。SK 海力士计划将清州进一步发展为涵盖 NAND、HBM 及先进封装的综合制造中心。

具体而言，投资将用于建设新的 NAND 闪存晶圆厂、安装生产设备，并扩大用于 HBM 后端加工的先进封装能力。SK 海力士表示，清州将成为一个强大的 AI 内存综合生产基地。

## 关键要点

• SK 海力士将清州 NAND 闪存产能扩充纳入 1100 万亿韩元中长期投资战略的一部分。
• 清州新 NAND 工厂投资规模为 100 万亿韩元（约 648 亿美元），自 2018 年 M15 工厂建成以来，SK 海力士在该厂区首次进行重大 NAND 产能扩张。
• 新工厂将支持 NAND 闪存产能扩大，并强化 HBM 后端先进封装能力。
• 清州将被打造为全面涵盖 NAND、HBM 及先进封装的 AI 内存综合制造中心。

## 意义与影响

此次投资标志着 SK 海力士在清州 NAND 产能扩张上的重大战略升级，有助于应对全球 AI 数据中心对高性能存储的需求。SK 海力士此前曾面临 NAND 产能紧张，通过大规模本地扩建，可提升在高阶 NAND 市场（如数据中心存储）的竞争力，减少对外部供应商的依赖。

此外，100 万亿韩元的投入将强化清州在 SK 海力士整体生产网络中的枢纽地位，与周边 M11、M12、M15、M15X 等工厂形成协同效应，推动先进封装能力升级。韩国政府同期推动的 800 万亿韩元半导体投资计划（三星与 SK 海力士各出资 400 万亿韩元），进一步为 SK 海力士的西南及清州布局提供政策支持，有助于韩国本土半导体供应链的多元化与长期竞争力提升。总体而言，此举将为 SK 海力士未来 5-10 年的存储业务提供坚实产能基础，助力其在 AI 驱动的全球内存市场中维持领先地位。