铠侠与闪迪在北上工厂投产第十代3D闪存产品

背景

铠侠与闪迪是全球领先的 NAND 闪存制造商，长期合作运营位于日本的多家工厂。近年来，双方在 3D 闪存技术上持续突破：2024 年 2 月，铠侠公布 3D NAND 发展蓝图，计划 2027 年实现 1000 层堆叠；同年 6 月，铠侠宣布开发出新一代 NAND 闪存，数据传输速度可提高 3 成；2025 年 2 月，双方共同发布下一代 3D 闪存技术，实现 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度，并将日本四日市工厂的合资协议延长至 2034 年；2026 年 1 月，闪迪获得一项专利，将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，以破解存储带宽瓶颈。此次铠侠与闪迪开始在北上工厂 Fab2 生产第十代 3D 闪存产品，标志着双方最新一代存储技术正式进入量产阶段。

核心内容

铠侠与闪迪已于 2026 年 7 月 3 日（当地时间）开始在位于日本北上市的北上工厂 Fab2 生产第十代 3D 闪存产品。这是双方在 3D NAND 技术路线上的最新量产里程碑，Fab2 作为北上工厂的核心产线，承担着先进闪存制造的重任。该产品具体的技术规格（如层数、接口速度、容量等）尚未完全披露，但可以预期其性能将在前代基础上进一步提升，延续双方在 NAND 闪存高密度、高性能方向的布局。

关键要点

• 生产启动时间：2026 年 7 月 3 日
• 生产地点：日本北上工厂 Fab2
• 产品代际：第十代 3D 闪存产品
• 参与方：铠侠与闪迪（合资合作生产）
• 背景支撑：双方近年在 3D NAND 层数（蓝图至 1000 层）、接口速度（4.8Gb/s）、封装技术（计算芯片下方堆叠）等方面积累了多项突破，第十代产品是这些技术的集成落地

意义与影响

• 行业技术迭代：第十代 3D 闪存的量产标志着 NAND 闪存工艺进入新阶段，为数据中心、AI 训练、高性能计算等对存储密度和带宽要求严苛的场景提供了更优选择。
• 合资合作深化：在四日市工厂协议延长至 2034 年的基础上，北上工厂 Fab2 启动第十代产品生产，进一步强化了铠侠与闪迪在 3D NAND 领域的联合制造优势，巩固了双方在全球闪存市场的竞争地位。
• 供应链稳定性：日本本土 Fab 的量产有助于降低对单一地区产线的依赖，为下游客户（如 SSD 厂商、云服务商）提供更稳定的产能保障，同时也呼应了全球半导体供应链区域化布局的趋势。
• 未来演进铺垫：随着 1000 层堆叠蓝图、高速接口和 3D 堆叠芯片等技术的推进，第十代产品将成为通往下一代架构（如超过 1000 层、3D NAND 与逻辑芯片集成）的重要过渡节点，引领存储行业继续突破密度与性能瓶颈。