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SK 海力士 CEO:内存芯片短缺或持续至2030年后

原标题:SK 海力士 CEO:内存芯片短缺可能持续到 2030 年以后

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SK海力士CEO郭鲁正表示内存芯片短缺可能持续至2030年以后,客户预期长期供应紧张而签署长期合同。三星电子、美光科技也因AI热潮受益,数据中心大规模支出推高内存需求,加剧存储芯片短缺。客户信号显示未来供应仍难充足。

AI 深度解读

背景

随着全球 AI 算力需求爆发式增长,作为 AI 芯片关键组件的 HBM(高带宽内存)及通用 DRAM 芯片持续供不应求。SK 海力士作为全球领先的内存芯片制造商,近年来多次就产能规划和市场供需发表预判。该公司已宣布多项扩产计划,包括投资 19 万亿韩元建设新工厂、计划到 2034 年晶圆产能提高两倍,并考虑推出「内存即服务」的租赁模式。在此背景下,SK 海力士 CEO 郭鲁正(Kwak Noh-Jung)在 2026 年 7 月 11 日最新表态中,进一步延长了此前对短缺周期的预测。

核心内容

SK 海力士 CEO 郭鲁正近日表示,全球内存芯片短缺局面可能持续到 2030 年之后。这一预判较此前公司内部的预期更为长远——2026 年 5 月 SK 海力士曾预计短缺将持续至 2030 年,而如今 CEO 将时间窗口进一步延后至「2030 年以后」。郭鲁正指出,AI 应用的快速渗透正在加速对高性能内存的需求,尤其是 HBM 和高端 DRAM,而供给端的扩产受制于晶圆厂建设周期、设备交付及先进封装产能瓶颈,短期内难以完全匹配需求。他同时强调,SK 海力士正通过扩大通用 DRAM 产能、推进与英伟达(NVIDIA)等客户的深度技术合作等方式缓解供需矛盾。

关键要点

  • 短缺预期延长:CEO 明确表示内存芯片短缺可能持续至 2030 年以后,较此前 2030 年的判断更为悲观。
  • 核心驱动力:AI 算力需求是主要推手,HBM 及高端 DRAM 需求远超当前供应能力。
  • 供给瓶颈:晶圆厂建设周期长(通常 3-5 年)、先进封装产能不足、关键设备交付延迟等因素制约扩产进度。
  • 应对措施:SK 海力士考虑扩大通用 DRAM 产能以平衡 HBM 专线压力,同时探索「内存即服务」模式——允许客户租赁而非购买芯片,以降低客户一次性采购成本并提高资源利用率。
  • 合作动态:与英伟达签署多年期技术合作协议,共同开发下一代 AI 专用内存。
  • 人才扩张:公司取消学历要求以吸引技术人才,支撑韩国 AI 芯片产业发展。

意义与影响

SK 海力士 CEO 的最新表态再次确认了 AI 赛道对半导体供应链的深远影响。内存短缺持续至 2030 年以后,意味着下游云厂商、AI 服务器制造商及终端用户将面临更长期的成本压力和供应不确定性。对于存储行业而言,HBM 等高附加值产品的利润空间将持续扩大,SK 海力士、三星及美光等头部厂商的资本支出周期可能进一步延长。与此同时,「内存即服务」模式的探索可能重塑传统存储芯片销售方式,推动整个行业从硬件买卖向按需付费的订阅制转型。这一动态也凸显了全球半导体产业从通用逻辑芯片向存储+AI 协同演进的新趋势,对中国及其他国家的本土芯片供应链自主化提出了更紧迫的要求。

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