苹果测试长鑫存储DRAM芯片 拟用于中国设备

背景

近年来，AI 大模型训练与推理需求持续爆发，推动全球存储芯片巨头（如三星、SK 海力士、美光）将大量产能转向高利润的 HBM（高带宽存储器）。这导致消费级 DRAM 和 NAND 闪存供应趋紧，价格持续攀升。苹果多款产品（如 MacBook、iPad）因此面临存储成本上涨压力，部分型号零售价已有所上调。与此同时，地缘政治因素迫使苹果加速供应链多元化，降低对单一韩国与美国供应商的依赖。中国存储厂商长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）凭借技术进步与产能扩张，成为苹果寻求替代来源的重要选项。

核心内容

据 ReadHub 科技日报报道，苹果公司已启动对长鑫存储 DRAM 内存芯片的测试评估，计划用于在中国市场销售的设备。目前该测试仍处于评估阶段，尚未承诺商业量产。与此同时，苹果正积极游说美国政府，争取更广泛地采用长鑫产品，并有意采购长江存储的 NAND 闪存，此举旨在强化供应链韧性。

背景是 AI 需求推动存储芯片巨头转产 HBM，导致消费级存储芯片供应紧张、价格飙升，苹果多款产品因此提价。美国银行研报指出，苹果大规模采用长鑫 DRAM 存在三大限制：地缘政策约束（美国政府可能阻止苹果使用中国存储芯片）、技术指标差距（长鑫产品在性能和能效上仍落后于三星、SK 海力士、美光）、专利诉讼风险（长鑫与美光等存在专利纠纷）。研报研判，即便苹果采用，初期也仅限入门低端机型，订单体量有限。不过苹果此举或意在以此为筹码，提升与三大 DRAM 厂商的议价能力。

长鑫存储已跻身全球第四大 DRAM 生产商，2025 年第四季度全球市场份额达 7.67%，晶圆产能占比预计 2028 年升至 15%。目前长鑫处于满产状态，难以满足本土企业需求，其向苹果大规模供货能力存疑。

关键要点

• 苹果测试长鑫存储 DRAM 芯片，但尚未承诺商业量产，目前处于评估阶段。
• 苹果同时游说美国政府，希望获批更广泛使用长鑫产品，并考虑采购长江存储的 NAND 闪存。
• 背景为 AI 需求推动 HBM 转产，消费级存储芯片供应紧张、价格飙升，苹果多款产品提价。
• 美国银行研报指出三大限制：地缘政策约束、技术指标差距、专利诉讼风险。
• 研报认为苹果初期可能仅在入门低端机型使用长鑫 DRAM，订单体量有限。
• 长鑫存储全球 DRAM 市场份额 7.67%，产能满负荷，向苹果大规模供货能力存疑。
• 苹果此举或意在提升与三星、SK 海力士、美光等传统供应商的议价能力。

意义与影响

若苹果最终采用长鑫存储 DRAM，将是中国存储芯片首次进入苹果核心供应链，具有里程碑意义。对长鑫而言，获得苹果订单可加速技术迭代与产能扩张，但地缘政治压力和专利风险可能阻碍合作落地。对苹果而言，此举可降低对美光、三星、SK 海力士的依赖，增强供应链韧性，并在价格谈判中获取更多筹码。然而，短期内苹果大概率仅限入门低端机型试水，大规模采用仍需克服技术、政策与法律障碍。对全球 DRAM 市场格局而言，苹果的多元化采购策略将加剧竞争，有望抑制消费级存储芯片的持续涨价趋势，但也会给传统供应商带来更大压力。