国产高端半导体检测设备发布，多项指标超越国际同类产品

背景

在集成电路产业加速迈向自主可控的关键阶段，高端半导体检测与量测设备长期被视为制约产业链安全的“卡脖子”环节。长期以来，高端失效分析设备市场主要由国际巨头垄断，国内企业在核心光学成像、精密检测及电性分析领域存在显著的技术空白。随着国内半导体产业链对国产化替代需求的日益迫切，以及合肥等地半导体产业集群的崛起，本土企业通过正向研发突破技术壁垒成为行业焦点。在此背景下，安徽凌光红外科技有限公司（Lingguang Infrared）正式发布了其最新研发成果，旨在填补国内在高端集成化电性失效分析设备领域的空白。

核心内容

安徽凌光红外科技有限公司正式发布了国内首创的 LUXETVERITAS 微光显微镜及激光诱导电阻变化二合一显微镜。这是一款高度集成化的电性失效分析设备，其核心创新在于将两种关键检测技术深度融合：

1. 技术融合机制：该设备集成了 EMMI（Electrical Microscope Microscopy，电致微光显微镜）微光检测技术与 OBIRCH（Optical Beam Induced Resistance Change，激光诱导电阻变化）功能。这种二合一设计使得单一设备能够同时执行光学成像与电性响应分析，大幅提升了失效分析的效率和精度。
2. 硬件配置升级：
   • 深度制冷近红外相机：用于捕捉极微弱的光信号，确保在纳米尺度下的检测灵敏度。
   • 大口径自研 1.35 倍物镜：自主研发的光学组件，显著提升了光通量和成像质量。
3. 性能指标突破：
   • EMMI 模块：具备精准定位纳安（nA）级微弱漏电的能力，能够发现传统设备难以察觉的微小缺陷。
   • OBIRCH 模块：实现了皮安（pA）级超高精度的电流放大测量，极大地提高了对微小电阻变化点的识别能力。

该产品的发布标志着国内在高端光学成像与精密检测领域取得了实质性进展。凌光红外坚持正向研发路线，自 2025 年落地合肥科大硅谷片区以来，加速推进核心技术的产业化进程。目前，其多款产品已获得相关认定，并与合肥半导体产业链的链主企业建立了稳定的合作关系，多项性能指标经实测超越国际同类产品。

关键要点

• 国内首创：发布了国内首款 LUXETVERITAS 微光显微镜及激光诱导电阻变化二合一显微镜，填补了国内市场空白。
• 双模集成：深度融合 EMMI 微光检测与 OBIRCH 激光诱导电阻变化功能，实现光学与电性分析的一体化。
• 超高精度：
  • EMMI 模块可定位 纳安级 微弱漏电。
  • OBIRCH 模块可实现 皮安级 超高精度电流放大测量。
• 核心硬件自研：搭载深度制冷近红外相机及大口径自研 1.35 倍物镜，提升成像与检测灵敏度。
• 产业化进展：自 2025 年落地合肥科大硅谷后加速产业化，多款产品获评相关认定，并与合肥半导体产业链链主企业建立稳定合作。
• 性能对标：多项性能指标超越国际同类产品，坚持正向研发，深耕光学成像与精密检测领域。

意义与影响

LUXETVERITAS 设备的正式发布，对于中国集成电路产业具有重要的战略意义：

1. 打破技术垄断，实现自主可控：高端失效分析设备是芯片研发和质量控制的核心工具。该设备的成功问世，打破了国际厂商在高端电性失效分析领域的长期垄断，为国内芯片设计、制造及封测企业提供了一流且自主可控的检测手段，降低了供应链安全风险。
2. 提升研发效率与良率：纳安级漏电定位和皮安级电流测量能力的结合，使得工程师能够更快速、更精准地定位芯片微观缺陷。这将直接缩短芯片研发周期，提高量产良率，降低生产成本，增强国产芯片的市场竞争力。
3. 推动本地产业集群发展：凌光红外与合肥半导体产业链链主企业的稳定合作，体现了“设备-制造”协同创新的良性循环。这不仅有助于合肥打造世界级半导体产业集群，也为国内其他半导体产业基地提供了可借鉴的产学研用合作模式。
4. 增强行业信心：多项性能指标超越国际同类产品的事实，证明了本土企业在核心光学和精密制造领域的技术实力，有助于提振整个半导体产业链对国产化替代的信心，吸引更多资本和人才投入该领域。