SK海力士拟用ADR募资净收益投建45.5万亿韩元

背景

SK 海力士近期在资本运作和产能扩张方面动作频频。2026 年 6 月，公司宣布拟在纳斯达克发行存托凭证（ADR），筹资规模接近 300 亿美元，这是其历史上最大规模的海外融资计划。与此同时，为应对 AI 浪潮下高带宽存储器（HBM）需求的爆发式增长，SK 海力士已在韩国龙仁、清州等地规划新建芯片工厂，并积极采购 ASML 的极紫外（EUV）光刻机，包括计划在 2026 年首次导入 High NA EUV 设备。此次最新公告明确了 ADR 募资净收益的具体使用方向，进一步落实了公司的资本支出蓝图。

核心内容

SK 海力士于 2026 年 7 月 6 日发布公告，称拟将美股 ADR 募资所得的净收益用于总额 45.5 万亿韩元（约合 350 亿美元）的建设性资本支出，以及极紫外（EUV）光刻机的采购。这笔巨额资本支出覆盖了公司在韩国本土多个工厂的建设、设备升级、研发投入等战略项目。其中，EUV 光刻机的采购主要指向 ASML 韩国公司，包括已宣布的 High NA EUV 设备引进计划（即 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机）。公告特别强调「建设性资本支出」这一措辞，暗示资金将直接用于产能扩张和技术工艺升级，而非运营性或财务性支出。

根据此前披露的信息，45.5 万亿韩元的部分构成可追溯至多个重大投资计划：投资 19 万亿韩元建设新的芯片工厂（2026 年 4 月宣布）、斥资 20 万亿韩元加速 HBM 新生产基地布局（2024 年 8 月宣布）、投资约 9.4 万亿韩元建设龙仁半导体集群首座工厂（2024 年宣布）等。ADR 募资净收益将作为上述计划的资金来源之一，降低公司自身负债压力，确保大规模投资顺利推进。

关键要点

• 募资金额与用途：美股 ADR 发行净收益将全部用于 45.5 万亿韩元（约 350 亿美元）的建设性资本支出及 EUV 光刻机采购，不用于其他非建设性支出。
• 资本支出方向：该支出覆盖新建芯片工厂、HBM 生产基地、龙仁半导体集群首座工厂等核心产能项目，均服务于 AI 存储芯片（HBM、DDR5 等）的扩产与工艺升级。
• 光刻机采购：明确将部分资金用于采购极紫外（EUV）光刻机，具体涉及 ASML 韩国公司的设备，包括计划于 2026 年首次导入的 High NA EUV 光刻机。
• 时间线索：此次公告发布于 2026 年 7 月 6 日，紧随此前 ADR 发行计划（2026 年 6 月 24 日）；公司早于 2024 年即宣布相关投资，本次公告是对资金用途的正式敲定。
• 监管合规：SK 海力士此前已向金融监督院提交 ADR 挂钩新股的发行计划（2026 年 6 月 24 日），此次公告符合韩国上市公司对募集资金用途的披露要求。

意义与影响

对于 SK 海力士而言，将 ADR 募资净收益明确投入到 45.5 万亿韩元的建设性资本支出中，意味着公司无需大幅增加债务即可推进其史上最大规模的产能扩张计划。这有助于其稳固在 HBM 和先进 DRAM 市场的领先地位，尤其是在 AI 芯片需求持续旺盛的背景下。采购 EUV 光刻机（特别是 High NA EUV）将支撑其 1c nm 及以下工艺的研发与量产，缩小与三星、美光在先进制程上的差距。

从行业视角看，SK 海力士如此大规模的资本支出表明全球存储芯片厂商对 AI 驱动需求的长期信心。EUV 光刻机的大规模采购也将进一步强化 ASML 在先进光刻设备市场的垄断地位，并可能引发竞争对手对相同设备的争抢。此外，ADR 募资净收益的专款专用模式对中韩企业的海外融资及资本管理具有一定示范意义——将境外股权融资与本土实体投资直接挂钩，既规避了汇率波动风险，又满足了韩国「本土芯片产业扩张」的政策导向。

对 AI 产业链而言，SK 海力士扩产的 HBM 产能将直接供应给 NVIDIA、AMD 等 AI 芯片厂商，有助于缓解当前 HBM 供不应求的局面，降低 AI 计算成本，加速大模型训练与推理的规模化部署。同时，这一投资计划也折射出全球半导体产业「产能竞赛」的加剧——美国、日本、欧洲均通过补贴吸引制造回流，而韩国企业正借助资本市场工具维持本土竞争力。