SK海力士加速Y1工厂建设，已订购DRAM设备

背景

全球存储芯片市场正处于供需紧张的关键阶段。随着 AI 大模型训练、边缘计算及智能手机高性能化对 DRAM 需求持续攀升，主要制造商纷纷加速产能扩张。SK 海力士作为全球领先的 DRAM 供应商，此前已多次发出供不应求预警——2025 年 10 月该公司警告 DRAM 短缺局面可能持续至 2028 年，同年摩根士丹利报告指出其 DRAM 库存已降至仅两周水平，实际处于边生产边发货状态。在此背景下，SK 海力士决定加速其在京畿道龙仁市远三面半导体集群的布局，以抢占市场先机。

核心内容

SK 海力士已正式启动龙仁半导体集群中首座工厂 Y1 的 DRAM 制造设备订购流程。该工厂位于京畿道龙仁市处仁区远三面，一期规划包含 2 个厂房骨架和 6 个洁净室。此次初期投资对应的产能为月产 2 万片晶圆（以 300mm 晶圆计）。关键变化在于首座洁净室的投产时间从原定的 2026 年 5 月提前至 2026 年 2 月，较原计划提早约三个月。这一调整反映出 SK 海力士为应对持续旺盛的 DRAM 需求，正全力压缩建设周期，加快产能释放节奏。

关键要点

• 地点与项目：京畿道龙仁市处仁区远三面半导体集群，首座工厂命名为 Y1。
• 当前动作：已开始订购先进 DRAM 制造设备。
• 投资规模：初期投资对应月产 2 万片晶圆的产能。
• 工厂规划：一期包含 2 个厂房骨架和 6 个洁净室。
• 时间节点：首座洁净室投产时间从 2026 年 5 月提前至 2026 年 2 月。
• 行业背景：SK 海力士此前业绩与预测显示 DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年，公司正通过多个新建项目（如清州 NAND 闪存工厂、订购半导体检测设备等）同步扩大产能。

意义与影响

Y1 工厂建设进度的加速，是 SK 海力士应对全球 DRAM 市场结构性短缺的重要举措。提前三个月投产意味着公司能更早释放先进 DRAM 产能，缓解下游客户（包括服务器、PC、智能手机厂商）的供货压力。在三星和 SK 海力士计划共同参与的 800 万亿韩元芯片集群项目中，双方各自建设 2 座芯片工厂——Y1 的快速推进将率先为该集群树立进度标杆，验证龙仁基地作为下一代半导体制造枢纽的可行性。此外，SK 海力士已开始供应高热效移动 DRAM 产品，叠加新工厂的新增产能，有望在改善智能手机过热问题的同时，满足高端机型对高带宽、低功耗内存的激增需求。整体来看，此次设备订购和投产提前标志着 SK 海力士从“去库存”阶段正式转入“主动扩产”周期，其产能节奏将深刻影响 2026 年全球 DRAM 市场的供需格局与价格走势。