英特尔成为全球首家实现High NA EUV逻辑芯片量产的企业

背景

High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）是芯片制造领域的关键下一代光刻技术，由荷兰光刻机巨头 ASML 独家开发。其数值孔径从传统 EUV 的 0.33 提升至 0.55，能够在单一曝光中实现更小的晶体管特征尺寸，从而降低多重图案化带来的成本与复杂度。该技术被视为延续摩尔定律、推动 2nm 及以下制程节点量产的核心工具。全球主要芯片制造商——包括英特尔、台积电和三星——均在争夺这一技术的首批应用，以抢占先进逻辑芯片的竞争制高点。

核心内容

ASML 宣布，英特尔代工（Intel Foundry）已利用其 High NA EUV 光刻技术，在 Intel 18A 工艺节点上实现了部分酷睿 Ultra 3 系列处理器的高产量出货，成为全球首家将 High NA EUV 逻辑芯片推向大批量商业出货的企业。

据官方声明，双方已在 Intel 18A 的部分工艺层上完成了该技术的光刻双重认证，良率已达到现有 NXE EUV 平台（标准 0.33 NA EUV）的成熟水平。双方还计划将 High NA EUV 进一步应用于未来的更先进制程节点。2024 年，双方在美国俄勒冈州完成了业界首台商用 High NA EUV 光刻系统的集成；英特尔不仅是首家安装该设备的企业，也是首家通过第二代 TWINSCAN EXE:5200B 系统（High NA EUV 的升级型号）验收测试的公司。

与此同时，台积电董事长魏哲家对“台积电不投资 High-NA EUV 设备”的市场传言进行了辟谣。他表示台积电早已购入相关设备，但因成本过高，目前暂不将其投入量产，正在努力降低总体拥有成本，以最大化投资效益。

关键要点

• 英特尔成为全球首家实现 High NA EUV 逻辑芯片高产量出货的企业，出货产品为基于 Intel 18A 工艺的酷睿 Ultra 3 系列处理器。
• Intel 18A 部分工艺层已完成 High NA EUV 的双重认证，良率已与现有标准 EUV（NXE 平台）持平。
• 双方计划继续推进 High NA EUV 在更先进制程节点（如 Intel 14A）的应用。
• 2024 年，英特尔与 ASML 在美国俄勒冈州完成首台商用 High NA EUV 系统的集成，英特尔是首家安装并通过第二代 EXE:5200B 系统验收测试的公司。
• 台积电否认放弃 High NA EUV 技术，称已购入设备，但出于成本考量暂不用于量产，正努力降本以发挥其效益。

意义与影响

1. 巩固英特尔代工在先进制程的竞争力：英特尔率先将 High NA EUV 用于量产，标志着其 Intel 18A 工艺在技术成熟度上取得关键突破。这有助于英特尔向外部客户（如高通、英伟达等）证明其代工能力，提升其重返芯片代工市场的信誉。

2. 加速先进制程节点路线图：Intel 18A 的成功量产及良率达标，为英特尔后续的 14A 等更先进节点扫清了光刻工艺的障碍。High NA EUV 的成熟应用有望帮助英特尔缩短与台积电、三星在 2nm 以下节点的差距。

3. 推动 ASML 技术与设备市场：英特尔的量产验证是对 High NA EUV 系统实际商用价值的正面验证，可能刺激其他晶圆厂加快设备采购和导入节奏。台积电虽暂未量产，但已购入设备，显示其并未止步，未来仍有可能在 2nm 之后节点启用。

4. 行业竞争格局的可能变化：英特尔在 High NA EUV 应用上领先于台积电（暂未量产）和三星（尚未公开同类进度），若英特尔能持续保持良率优势，可能打破台积电在先进逻辑制程上的垄断地位。但台积电的策略侧重于成本优化，后续可能以更低成本实现更高效率，反超英特尔。

5. 对芯片产业链的长期影响：High NA EUV 的规模化量产将降低极紫外光刻的单次曝光成本，有助于延续摩尔定律，推动更小晶体管（如 1nm 以下）的商用化。整个芯片设计、EDA 工具、掩膜板制造等上下游环节也需随之适配，为行业带来新的增长机会。