端侧AI驱动国产存储芯片迎新机遇

背景

近日，首届集微存储论坛在上海张江举行。此次论坛汇聚了行业内的众多嘉宾，共同探讨了存储芯片市场的未来走势以及技术变革带来的新机遇。当前，全球科技产业正经历从云端算力向端侧智能延伸的关键转型期，这一趋势对上游存储芯片市场产生了深远影响。

核心内容

论坛与会嘉宾对2025年至2027年的存储芯片市场供需关系进行了研判，认为这一时期整体将处于供不应求的状态，存储芯片涨价的趋势有望持续。然而，市场并非一路高歌猛进，2027年可能成为观察价格趋势是否发生转折的关键年份。

在短期走势方面，数据显示2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄，这意味着短期内市场可能面临盘整局面，而非持续大幅上涨。

更深层次的结构性变化在于AI算力增长重心的转移。随着AI应用从云端训练加速向端侧推理延伸，具有低功耗、快速响应优势的利基型存储芯片迎来了新的增长机遇。这类利基型存储主要包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND以及EEPROM等产品。这些产品因其在特定场景下的性能优势，正成为国产存储芯片企业切入市场、实现新一轮增长的重要突破口。

关键要点

• 供需格局：2025年至2027年，存储芯片市场整体预计处于供不应求状态，涨价趋势有望延续。
• 价格转折：2027年或成为观察存储价格趋势是否发生根本性转折的重要年份。
• 短期波动：2026年第二季度存储价格涨幅环比收窄，短期市场可能进入盘整阶段。
• 技术驱动：AI算力增长重心由云端训练转向端侧推理，推动了存储需求结构的变化。
• 受益品类：具备低功耗和快速响应优势的利基型存储芯片迎来新机遇，具体包括：
  • 小容量 DDR3/DDR4
  • NOR Flash
  • SLC NAND
  • EEPROM
• 市场机遇：上述变化为国产存储芯片企业提供了新的增长窗口。

意义与影响

AI算力架构从云端向端侧的迁移，不仅改变了数据存储的技术需求，也为国产存储芯片产业提供了差异化竞争的机会。传统大容量存储市场可能面临更激烈的竞争或周期性波动，而利基型存储市场因其对功耗、响应速度等特定指标的高要求，形成了较高的技术壁垒和市场粘性。

对于国产存储芯片厂商而言，抓住端侧AI带来的这一轮增长机遇，深耕小容量DDR、NOR Flash、SLC NAND及EEPROM等利基市场，有助于在激烈的全球竞争中建立优势，实现从跟随到并跑甚至领跑的跨越。同时，这也提示投资者和行业观察者需密切关注2026年下半年的价格盘整情况以及2027年的长期趋势转折，以准确把握市场节奏。