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力积电7月起存储代工报价上调45%

原标题:力积电 7 月起将存储代工报价上调 45%

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力积电自7月起将存储代工报价上调45%,相关产能预计11月投产,旨在提升营收和盈利。公司自主研发的OneX DRAM工艺已进入小批量试产,正优化良率并推进客户认证。与美光联合开发的OneP工艺计划明年一季度设备进场,目标2028年年中量产,持续迭代DRAM工艺。

AI 深度解读

背景

力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation,PSMC)是台湾领先的晶圆代工厂之一,业务涵盖逻辑芯片与存储芯片代工。近年来,全球存储芯片市场经历周期性波动,DRAM 价格在 2023 年触底后逐步回升,代工产能利用率也随之改善。力积电在存储代工领域拥有独特工艺技术,但此前受制于产能利用率和产品组合,存储业务营收占比相对较低。此次大幅调涨代工报价,反映其看好下游需求回暖,并试图通过价格杠杆优化盈利结构。

核心内容

在近日的业绩说明会上,力积电总经理朱宪国宣布,公司自 2025 年 7 月起将存储代工报价上调 45%。此次调涨涉及存储代工相关产能,预计这些产能将于 2025 年 11 月正式投产。朱宪国表示,此举有望拉动公司整体营收、提升盈利水平,并推动存储业务营收占比进一步提高。

同时,力积电在 DRAM 工艺技术方面取得两项进展:

  • 自主研发的 OneX DRAM 工艺已于 2025 年 6 月进入小批量试产阶段,目前正在推进良率优化与客户认证工作。
  • 与美光(Micron)联合开发的 OneP 工艺计划于 2026 年第一季度完成设备进场,目标是在 2028 年年中实现量产。该工艺旨在持续推动 DRAM 工艺向更先进节点迭代。

关键要点

  • 价格调整:自 2025 年 7 月起,力积电将存储代工报价统一上调 45%,为近年来幅度最大的单次调涨。
  • 产能时间线:受调价影响的产能于 2025 年 11 月投产,预计届时对营收贡献开始显现。
  • OneX DRAM 工艺:力积电自主开发的 DRAM 工艺,已于 2025 年 6 月进入小批量试产,后续需完成良率优化和客户认证。
  • OneP 工艺(与美光合作):计划 2026 年 Q1 完成设备进场,目标 2028 年年中量产,代表更先进的 DRAM 节点迭代方向。
  • 战略目标:通过提价和工艺升级,提升存储业务营收占比,并改善整体盈利能力。

意义与影响

力积电此次大幅上调存储代工报价,是存储代工市场供需关系变化的直接体现。从行业层面看,DRAM 价格自 2024 年以来持续回暖,下游客户对产能需求旺盛,代工厂议价能力增强。45% 的涨幅远超常规代工价格调整幅度,表明力积电在存储代工细分领域具备一定的技术壁垒和客户粘性,敢于在景气周期中主动提价。

从公司层面看,提价将直接增厚营收和利润,尤其有助于改善存储业务占比偏低的结构性问题。同时,OneX DRAM 的试产和 OneP 工艺的推进,意味着力积电在 DRAM 工艺上正从依赖成熟节点向自主创新与联合研发并举转型。若良率与客户认证顺利,力积电有望在 DRAM 代工市场获得更大份额,并缩小与一线 DRAM 原厂的技术差距。

不过,风险同样存在:若下游需求不及预期或客户转向其他代工厂,提价可能导致部分订单流失。此外,OneX 与 OneP 工艺的良率爬坡进度仍存不确定性,量产时间点可能受设备交付、工艺调试等因素影响而延迟。整体来看,这一系列举措标志着力积电正加速向更高附加值存储代工领域转型,后续市场反应与技术进展值得持续关注。

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